.在掺杂半导体中,多子的浓度主要取决于( ),而少子的浓度则受( )的影响很大.温度 B.晶体缺陷 C.掺杂工艺 D.掺杂浓度
来源:学生作业帮助网 编辑:作业帮 时间:2024/06/24 15:56:44
![.在掺杂半导体中,多子的浓度主要取决于( ),而少子的浓度则受( )的影响很大.温度 B.晶体缺陷 C.掺杂工艺 D.掺杂浓度](/uploads/image/z/9897942-30-2.jpg?t=%EF%BC%8E%E5%9C%A8%E6%8E%BA%E6%9D%82%E5%8D%8A%E5%AF%BC%E4%BD%93%E4%B8%AD%2C%E5%A4%9A%E5%AD%90%E7%9A%84%E6%B5%93%E5%BA%A6%E4%B8%BB%E8%A6%81%E5%8F%96%E5%86%B3%E4%BA%8E%EF%BC%88+%EF%BC%89%2C%E8%80%8C%E5%B0%91%E5%AD%90%E7%9A%84%E6%B5%93%E5%BA%A6%E5%88%99%E5%8F%97%EF%BC%88+%EF%BC%89%E7%9A%84%E5%BD%B1%E5%93%8D%E5%BE%88%E5%A4%A7%EF%BC%8E%E6%B8%A9%E5%BA%A6+B%EF%BC%8E%E6%99%B6%E4%BD%93%E7%BC%BA%E9%99%B7+C%EF%BC%8E%E6%8E%BA%E6%9D%82%E5%B7%A5%E8%89%BA+D%EF%BC%8E%E6%8E%BA%E6%9D%82%E6%B5%93%E5%BA%A6)
.在掺杂半导体中,多子的浓度主要取决于( ),而少子的浓度则受( )的影响很大.温度 B.晶体缺陷 C.掺杂工艺 D.掺杂浓度
.在掺杂半导体中,多子的浓度主要取决于( ),而少子的浓度则受( )的影响很大
.温度 B.晶体缺陷 C.掺杂工艺 D.掺杂浓度
.在掺杂半导体中,多子的浓度主要取决于( ),而少子的浓度则受( )的影响很大.温度 B.晶体缺陷 C.掺杂工艺 D.掺杂浓度
D A