下列说法中正确的是:A.带电体有吸引钢铁的性质 B电压是形成电流的原因C自由电荷定向移动形成电流 D导体内都有大量的自由电子A必然是错的,不必解释了,关键是剩下几个,希望能解释下,谢
来源:学生作业帮助网 编辑:作业帮 时间:2024/06/25 12:35:23
![下列说法中正确的是:A.带电体有吸引钢铁的性质 B电压是形成电流的原因C自由电荷定向移动形成电流 D导体内都有大量的自由电子A必然是错的,不必解释了,关键是剩下几个,希望能解释下,谢](/uploads/image/z/14206316-68-6.jpg?t=%E4%B8%8B%E5%88%97%E8%AF%B4%E6%B3%95%E4%B8%AD%E6%AD%A3%E7%A1%AE%E7%9A%84%E6%98%AF%EF%BC%9AA.%E5%B8%A6%E7%94%B5%E4%BD%93%E6%9C%89%E5%90%B8%E5%BC%95%E9%92%A2%E9%93%81%E7%9A%84%E6%80%A7%E8%B4%A8+B%E7%94%B5%E5%8E%8B%E6%98%AF%E5%BD%A2%E6%88%90%E7%94%B5%E6%B5%81%E7%9A%84%E5%8E%9F%E5%9B%A0C%E8%87%AA%E7%94%B1%E7%94%B5%E8%8D%B7%E5%AE%9A%E5%90%91%E7%A7%BB%E5%8A%A8%E5%BD%A2%E6%88%90%E7%94%B5%E6%B5%81+D%E5%AF%BC%E4%BD%93%E5%86%85%E9%83%BD%E6%9C%89%E5%A4%A7%E9%87%8F%E7%9A%84%E8%87%AA%E7%94%B1%E7%94%B5%E5%AD%90A%E5%BF%85%E7%84%B6%E6%98%AF%E9%94%99%E7%9A%84%2C%E4%B8%8D%E5%BF%85%E8%A7%A3%E9%87%8A%E4%BA%86%2C%E5%85%B3%E9%94%AE%E6%98%AF%E5%89%A9%E4%B8%8B%E5%87%A0%E4%B8%AA%2C%E5%B8%8C%E6%9C%9B%E8%83%BD%E8%A7%A3%E9%87%8A%E4%B8%8B%2C%E8%B0%A2)
下列说法中正确的是:A.带电体有吸引钢铁的性质 B电压是形成电流的原因C自由电荷定向移动形成电流 D导体内都有大量的自由电子A必然是错的,不必解释了,关键是剩下几个,希望能解释下,谢
下列说法中正确的是:
A.带电体有吸引钢铁的性质 B电压是形成电流的原因
C自由电荷定向移动形成电流 D导体内都有大量的自由电子
A必然是错的,不必解释了,关键是剩下几个,希望能解释下,谢
下列说法中正确的是:A.带电体有吸引钢铁的性质 B电压是形成电流的原因C自由电荷定向移动形成电流 D导体内都有大量的自由电子A必然是错的,不必解释了,关键是剩下几个,希望能解释下,谢
B是正确的.C是正确的.D是错误的,应该是导体内都有大量的自由电荷.比如说盐水能导电,是因为它部有Na 离子和Cl离子.
cD对,我物理超好,相信我
B C D
C和D吧。B没有足够的电压不能形成电流。自由电荷就像是水分子,大量的水分子移动会形成水流。导体里面有自由电子才能导电。所以导体内都有大量的自由电子。
b c d 错了找我算账
D也不对,有些导体通过空穴导电。P型半导体也称为空穴型半导体。P型半导体即空穴浓度远大于自由电子浓度的杂质半导体。在纯净的硅晶体中掺入三价元素(如硼),使之取代晶格中硅原子的位子,就形成P型半导体。在P型半导体中,空穴为多子,自由电子为少子,主要靠空穴导电。空穴主要由杂质原子提供,自由电子由热激发形成。掺入的杂质越多,多子(空穴)的浓度就越高,导电性能就越强。
答案是BC。...
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D也不对,有些导体通过空穴导电。P型半导体也称为空穴型半导体。P型半导体即空穴浓度远大于自由电子浓度的杂质半导体。在纯净的硅晶体中掺入三价元素(如硼),使之取代晶格中硅原子的位子,就形成P型半导体。在P型半导体中,空穴为多子,自由电子为少子,主要靠空穴导电。空穴主要由杂质原子提供,自由电子由热激发形成。掺入的杂质越多,多子(空穴)的浓度就越高,导电性能就越强。
答案是BC。
收起
BCD
B 这是基本概念(没有电压,何来电流?!)
C 电流是由导体内大量的自由电子发生定向移动而产生的
D 如果导体中没有自由电子,那就是绝缘体了!(P.S对于初中物理来说,6楼……的那位想深了)
BC