在掺杂的元素半导体Si、Ge中,一般情况下的主要散射机构是什么?对化合物半导体GaAs,一般情形 下的主要散射机构是什么?对上述两类半导体材料,请分别写出主要散射机构所决定的平均自由时
来源:学生作业帮助网 编辑:作业帮 时间:2024/06/24 08:46:03
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在掺杂的元素半导体Si、Ge中,一般情况下的主要散射机构是什么?对化合物半导体GaAs,一般情形 下的主要散射机构是什么?对上述两类半导体材料,请分别写出主要散射机构所决定的平均自由时
在掺杂的元素半导体Si、Ge中,一般情况下的主要散射机构是什么?
对化合物半导体GaAs,一般情形 下的主要散射机构是什么?
对上述两类半导体材料,请分别写出主要散射机构所决定的平均自由时 间τ与温度的关系.
在掺杂的元素半导体Si、Ge中,一般情况下的主要散射机构是什么?对化合物半导体GaAs,一般情形 下的主要散射机构是什么?对上述两类半导体材料,请分别写出主要散射机构所决定的平均自由时
答:1) 对掺杂的Si、Ge,主要的散射机构是声学波散射和电离杂质散射;
2) 对III-V族化合物半导体,如GaAS,光学波散射也很重要,即主要散射机构是声学波散射、电离杂质散射和光学波散射;
3) 电离杂质散射:τi∝Ni^(-1)T^(3/2),
声学波散射:τs∝T^(-3/2),
光学波散射:τ0∝exp[(hυl/k0T)-1]
希望可以帮到你o(∩_∩)o ,
一般主要是晶格振动散射(声子散射),其次是电离杂质散射。元素半导体与化合物半导体的散射情况类似,只是化合物半导体中的缺陷往往较多,因此还需要考虑缺陷对载流子的散射。
参见“http://blog.163.com/xmx028@126/”中的有关说明。
在掺杂的元素半导体Si、Ge中,一般情况下的主要散射机构是什么?对化合物半导体GaAs,一般情形 下的主要散射机构是什么?对上述两类半导体材料,请分别写出主要散射机构所决定的平均自由时
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